Российские ученые нашли вещество для лечения рака
Рост числа отечественных разработок и патентов на изобретения предусмотрен нацпроектом «Наука», который ...

Наука на выборах
Подготовку к выборам членов Российской академии наук президент обсудил с главой РАН Александром ...

Наука о человеке: как изменится пластическая хирургия в ближайшем будущем
— президент Российского общества пластических, реконструктивных и эстетических хирургов, доцент кафедры пластической хирургии Первого ...

Функции не до конца понятны. В человеческом теле нашли странные клетки
19 июля 2016, 02:29РИА Наука Ученые раскрыли происхождение клеток-убийцИммунные клетки — Т-лимфоциты ...

Наука: Гены и творчество
Творческие способности и то, насколько они предопределены генетикой, а на сколько – окружающим миром ...

Silicon Carbide, Volume 2. Power Devices And Sensors
# 233815042

Silicon Carbide, Volume 2. Power Devices And Sensors

16 676 р.

Silicon Carbide – this easy to manufacture compound of silicon and carbon is said to be THE emerging material for applications in electronics

Among the former are CREE Inc

Apart from applications in power electronics, sensors, and NEMS, SiC has recently gained new interest as a substrate material for the manufacture of controlled graphene

High thermal conductivity, high electric field breakdown strength and high maximum current density make it most promising for high-powered semiconductor devices

Readers will benefit from reports on development and reliability aspects of Schottky barrier diodes, advantages of SiC power MOSFETs, or SiC sensors

SiC and graphene research is oriented towards end markets and has high impact on areas of rapidly growing interest like electric vehicles

The authors discuss MEMS and NEMS as SiC-based electronics for automotive industry as well as SiC-based circuit elements for high temperature applications, and the application of transistors in PV-inverters

The list of contributors reads like a «Who's Who» of the SiC community, strongly benefiting from collaborations between research institutions and enterprises active in SiC crystal growth and device development

This volume is devoted to high power devices products and their challenges in industrial application

and Fraunhofer ISE, while the industry is represented by Toshiba, Nissan, Infineon, NASA, Naval Research Lab, and Rensselaer Polytechnic Institute, to name but a few.